Helicity-dependent photocurrent induced by the in-plane transverse electric current in an InAs quantum well
文献类型：期刊论文
| 作者 | J. B. Li ; X. G. Wu ; G. W. Wang ; Y. Q. Xu ; Z. C. Niu ; X. H. Zhang |
| 刊名 | scientific reports
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 6页码:31189 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28055]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | J. B. Li,X. G. Wu,G. W. Wang,et al. Helicity-dependent photocurrent induced by the in-plane transverse electric current in an InAs quantum well[J]. scientific reports,2016,6:31189. |
| APA | J. B. Li,X. G. Wu,G. W. Wang,Y. Q. Xu,Z. C. Niu,&X. H. Zhang.(2016).Helicity-dependent photocurrent induced by the in-plane transverse electric current in an InAs quantum well.scientific reports,6,31189. |
| MLA | J. B. Li,et al."Helicity-dependent photocurrent induced by the in-plane transverse electric current in an InAs quantum well".scientific reports 6(2016):31189. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。