Large lateral photovoltaic effect in μc-SiOx:H/a-Si:H/c-Si p–i–n structure
文献类型：期刊论文
| 作者 | Shuang Qiao ; Jianhui Chen ; Jihong Liu ; Xinhui Zhang ; Shufang Wang ; Guangsheng Fu |
| 刊名 | Applied Physics Express
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 9页码:031301 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28056]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shuang Qiao,Jianhui Chen,Jihong Liu,et al. Large lateral photovoltaic effect in μc-SiOx:H/a-Si:H/c-Si p–i–n structure[J]. Applied Physics Express,2016,9:031301. |
| APA | Shuang Qiao,Jianhui Chen,Jihong Liu,Xinhui Zhang,Shufang Wang,&Guangsheng Fu.(2016).Large lateral photovoltaic effect in μc-SiOx:H/a-Si:H/c-Si p–i–n structure.Applied Physics Express,9,031301. |
| MLA | Shuang Qiao,et al."Large lateral photovoltaic effect in μc-SiOx:H/a-Si:H/c-Si p–i–n structure".Applied Physics Express 9(2016):031301. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。