Photoexcitation-induced carrier dynamics in an undoped InAs/GaSb quantum well
文献类型：期刊论文
| 作者 | Junbin Li ; Xiaoguang Wu ; Guowei Wang ; Yingqiang Xu ; Zhichuan Niu ; Xinhui Zhang |
| 刊名 | journal of physics d: applied physics
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 49期号:14页码:145303 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28059]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Junbin Li,Xiaoguang Wu,Guowei Wang,et al. Photoexcitation-induced carrier dynamics in an undoped InAs/GaSb quantum well[J]. journal of physics d: applied physics,2016,49(14):145303. |
| APA | Junbin Li,Xiaoguang Wu,Guowei Wang,Yingqiang Xu,Zhichuan Niu,&Xinhui Zhang.(2016).Photoexcitation-induced carrier dynamics in an undoped InAs/GaSb quantum well.journal of physics d: applied physics,49(14),145303. |
| MLA | Junbin Li,et al."Photoexcitation-induced carrier dynamics in an undoped InAs/GaSb quantum well".journal of physics d: applied physics 49.14(2016):145303. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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