Tuning of the Electron Spin Relaxation Anisotropy via Optical Gating in GaAs/AlGaAs Quantum Wells
文献类型：期刊论文
| 作者 | Bing-Hui Niu ; Teng-Fei Yan ; Hai-Qiao Ni ; Zhi-Chuan Niu ; Xin-Hui Zhang |
| 刊名 | chinese physics letters
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 33期号:10页码:107802 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28060]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Bing-Hui Niu,Teng-Fei Yan,Hai-Qiao Ni,et al. Tuning of the Electron Spin Relaxation Anisotropy via Optical Gating in GaAs/AlGaAs Quantum Wells[J]. chinese physics letters,2016,33(10):107802. |
| APA | Bing-Hui Niu,Teng-Fei Yan,Hai-Qiao Ni,Zhi-Chuan Niu,&Xin-Hui Zhang.(2016).Tuning of the Electron Spin Relaxation Anisotropy via Optical Gating in GaAs/AlGaAs Quantum Wells.chinese physics letters,33(10),107802. |
| MLA | Bing-Hui Niu,et al."Tuning of the Electron Spin Relaxation Anisotropy via Optical Gating in GaAs/AlGaAs Quantum Wells".chinese physics letters 33.10(2016):107802. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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