Optical characteristics of p-type GaAs-based semiconductors towards applications in photoemission infrared detectors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Y. F. Lao ; A. G. U. Perera ; H. L. Wang ; J. H. Zhao ; Y. J. Jin ; D. H. Zhang |
| 刊名 | journal of applied physics
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 119期号:10页码:105304 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27823]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Y. F. Lao,A. G. U. Perera,H. L. Wang,et al. Optical characteristics of p-type GaAs-based semiconductors towards applications in photoemission infrared detectors[J]. journal of applied physics,2016,119(10):105304. |
| APA | Y. F. Lao,A. G. U. Perera,H. L. Wang,J. H. Zhao,Y. J. Jin,&D. H. Zhang.(2016).Optical characteristics of p-type GaAs-based semiconductors towards applications in photoemission infrared detectors.journal of applied physics,119(10),105304. |
| MLA | Y. F. Lao,et al."Optical characteristics of p-type GaAs-based semiconductors towards applications in photoemission infrared detectors".journal of applied physics 119.10(2016):105304. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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