Schottky barrier heights at the interfaces between pure-phase InAs nanowires and metal contacts
文献类型：期刊论文
| 作者 | Boyong Feng ; Shaoyun Huang ; Jiyin Wang ; Dong Pan ; Jianghua Zhao ; H. Q. Xu |
| 刊名 | journal of applied physics
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 119期号:5页码:054304 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27937]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Boyong Feng,Shaoyun Huang,Jiyin Wang,et al. Schottky barrier heights at the interfaces between pure-phase InAs nanowires and metal contacts[J]. journal of applied physics,2016,119(5):054304. |
| APA | Boyong Feng,Shaoyun Huang,Jiyin Wang,Dong Pan,Jianghua Zhao,&H. Q. Xu.(2016).Schottky barrier heights at the interfaces between pure-phase InAs nanowires and metal contacts.journal of applied physics,119(5),054304. |
| MLA | Boyong Feng,et al."Schottky barrier heights at the interfaces between pure-phase InAs nanowires and metal contacts".journal of applied physics 119.5(2016):054304. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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