GaAs 基高功率半导体激光器单管耦合研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王鑫 ; 王翠鸾 ; 吴霞 ; 朱凌妮 ; 马骁宇 ; 刘素平 |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 36期号:9页码:1018-1021 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27674]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子器件国家工程中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王鑫,王翠鸾,吴霞,等. GaAs 基高功率半导体激光器单管耦合研究[J]. 发光学报,2016,36(9):1018-1021. |
| APA | 王鑫,王翠鸾,吴霞,朱凌妮,马骁宇,&刘素平.(2016).GaAs 基高功率半导体激光器单管耦合研究.发光学报,36(9),1018-1021. |
| MLA | 王鑫,et al."GaAs 基高功率半导体激光器单管耦合研究".发光学报 36.9(2016):1018-1021. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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