Fabrication of iridium oxide neural electrodes at the wafer level
文献类型：期刊论文
| 作者 | ZHANG He ; PEI WeiHua ; ZHAO ShanShan ; YANG XiaoWei ; LIU RuiCong ; LIU YuanYuan ; WU Xian ; GUO DongMei ; GUI Qiang ; GUO XuHong ; XING Xiao ; WANG YiJun ; CHEN HongDa |
| 刊名 | science china technological sciences
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 59期号:9页码:1399-1406 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27977]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ZHANG He,PEI WeiHua,ZHAO ShanShan,et al. Fabrication of iridium oxide neural electrodes at the wafer level[J]. science china technological sciences,2016,59(9):1399-1406. |
| APA | ZHANG He.,PEI WeiHua.,ZHAO ShanShan.,YANG XiaoWei.,LIU RuiCong.,...&CHEN HongDa.(2016).Fabrication of iridium oxide neural electrodes at the wafer level.science china technological sciences,59(9),1399-1406. |
| MLA | ZHANG He,et al."Fabrication of iridium oxide neural electrodes at the wafer level".science china technological sciences 59.9(2016):1399-1406. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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