GeSn p-i-n photodetectors with GeSn layer grown by magnetron sputtering epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Jun Zheng ; Suyuan Wang ; Zhi Liu ; Hui Cong ; Chunlai Xue ; Chuanbo Li ; Yuhua Zuo ; Buwen Cheng ; Qiming Wang |
| 刊名 | applied physics letters
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 108期号:3页码:033503 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28061]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jun Zheng,Suyuan Wang,Zhi Liu,et al. GeSn p-i-n photodetectors with GeSn layer grown by magnetron sputtering epitaxy[J]. applied physics letters,2016,108(3):033503. |
| APA | Jun Zheng.,Suyuan Wang.,Zhi Liu.,Hui Cong.,Chunlai Xue.,...&Qiming Wang.(2016).GeSn p-i-n photodetectors with GeSn layer grown by magnetron sputtering epitaxy.applied physics letters,108(3),033503. |
| MLA | Jun Zheng,et al."GeSn p-i-n photodetectors with GeSn layer grown by magnetron sputtering epitaxy".applied physics letters 108.3(2016):033503. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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