Researching the silicon direct wafer bonding with interfacial SiO2 layer
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang Xiaoqing ; Yu Yude ; Ning Jin |
| 刊名 | journal of semiconductors
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 37期号:5页码:056001 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27853]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang Xiaoqing,Yu Yude,Ning Jin. Researching the silicon direct wafer bonding with interfacial SiO2 layer[J]. journal of semiconductors,2016,37(5):056001. |
| APA | Wang Xiaoqing,Yu Yude,&Ning Jin.(2016).Researching the silicon direct wafer bonding with interfacial SiO2 layer.journal of semiconductors,37(5),056001. |
| MLA | Wang Xiaoqing,et al."Researching the silicon direct wafer bonding with interfacial SiO2 layer".journal of semiconductors 37.5(2016):056001. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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