The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
文献类型：期刊论文
| 作者 | P. Chen ; D. G. Zhao ; D. S. Jiang ; J. J. Zhu ; Z. S. Liu ; J. Yang ; X. Li ; L. C. Le ; X. G. He ; W. Liu ; X. J. Li ; F. Liang ; B. S. Zhang ; H. Yang ; Y. T. Zhang ; G. T. Du |
| 刊名 | aip advances
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 6页码:035124 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27856]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | P. Chen,D. G. Zhao,D. S. Jiang,et al. The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes[J]. aip advances,2016,6:035124. |
| APA | P. Chen.,D. G. Zhao.,D. S. Jiang.,J. J. Zhu.,Z. S. Liu.,...&G. T. Du.(2016).The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes.aip advances,6,035124. |
| MLA | P. Chen,et al."The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes".aip advances 6(2016):035124. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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