Effect of GaN buffer polarization on electron distribution of AlGaN/GaN heterostructure
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiaoguang He ; Degang Zhao ; Wei Liu ; Jing Yang ; Xiaojing Li ; Xiang Li |
| 刊名 | journal of alloys and compounds
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 670页码:258-261 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27859]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiaoguang He,Degang Zhao,Wei Liu,et al. Effect of GaN buffer polarization on electron distribution of AlGaN/GaN heterostructure[J]. journal of alloys and compounds,2016,670:258-261. |
| APA | Xiaoguang He,Degang Zhao,Wei Liu,Jing Yang,Xiaojing Li,&Xiang Li.(2016).Effect of GaN buffer polarization on electron distribution of AlGaN/GaN heterostructure.journal of alloys and compounds,670,258-261. |
| MLA | Xiaoguang He,et al."Effect of GaN buffer polarization on electron distribution of AlGaN/GaN heterostructure".journal of alloys and compounds 670(2016):258-261. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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