Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
文献类型：期刊论文
| 作者 | F. Liang ; P. Chen ; D. G. Zhao ; D. S. Jiang ; Z. S. Liu ; J. J. Zhu ; J. Yang ; W. Liu ; X. Li ; S. T. Liu ; H. Yang ; L. Q. Zhang ; J. P. Liu ; Y. T. Zhang ; G. T. Du |
| 刊名 | materials technology
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| 出版日期 | 2016 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27861]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | F. Liang,P. Chen,D. G. Zhao,et al. Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD[J]. materials technology,2016. |
| APA | F. Liang.,P. Chen.,D. G. Zhao.,D. S. Jiang.,Z. S. Liu.,...&G. T. Du.(2016).Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD.materials technology. |
| MLA | F. Liang,et al."Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD".materials technology (2016). |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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