GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers
文献类型：期刊论文
| 作者 | X.G. He ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; J.J. Zhu ; P. Chen ; Z.S. Liu ; L.C. Le ; J. Yang ; X.J. Li ; J.P. Liu ; L.Q. Zhang ; H. Yang |
| 刊名 | journal of alloys and compounds
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 662页码:16-19 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27864]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | X.G. He,D.G. Zhao,D.S. Jiang,et al. GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers[J]. journal of alloys and compounds,2016,662:16-19. |
| APA | X.G. He.,D.G. Zhao.,D.S. Jiang.,J.J. Zhu.,P. Chen.,...&H. Yang.(2016).GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers.journal of alloys and compounds,662,16-19. |
| MLA | X.G. He,et al."GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers".journal of alloys and compounds 662(2016):16-19. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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