Growth parametric study of N-polar InGaN films by metalorganic chemical vapor deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Fan Yang ; Yuan-tao Zhang ; Xu Han ; Peng-chong Li ; Jun-yan Jiang ; Zhen Huang ; Jing-zhi Yin ; De-gang Zhao ; Bao-lin Zhang ; Guo-tong Du |
| 刊名 | superlattices and microstructures
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 91页码:259-268 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27865]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Fan Yang,Yuan-tao Zhang,Xu Han,et al. Growth parametric study of N-polar InGaN films by metalorganic chemical vapor deposition[J]. superlattices and microstructures,2016,91:259-268. |
| APA | Fan Yang.,Yuan-tao Zhang.,Xu Han.,Peng-chong Li.,Jun-yan Jiang.,...&Guo-tong Du.(2016).Growth parametric study of N-polar InGaN films by metalorganic chemical vapor deposition.superlattices and microstructures,91,259-268. |
| MLA | Fan Yang,et al."Growth parametric study of N-polar InGaN films by metalorganic chemical vapor deposition".superlattices and microstructures 91(2016):259-268. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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