Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
文献类型：期刊论文
| 作者 | X. Li ; D.G. Zhao ; J. Yang ; D.S. Jiang ; Z.S. Liu ; P. Chen ; J.J. Zhu ; W. Liu ; X.G. He ; X.J. Li ; F. Liang ; L.Q. Zhang ; J.P. Liu ; H. Yang ; Y.T. Zhang ; G.T. Du |
| 刊名 | superlattices and microstructures
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 97页码:186-192 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27866]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | X. Li,D.G. Zhao,J. Yang,et al. Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells[J]. superlattices and microstructures,2016,97:186-192. |
| APA | X. Li.,D.G. Zhao.,J. Yang.,D.S. Jiang.,Z.S. Liu.,...&G.T. Du.(2016).Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells.superlattices and microstructures,97,186-192. |
| MLA | X. Li,et al."Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells".superlattices and microstructures 97(2016):186-192. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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