Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC
文献类型：期刊论文
| 作者 | F. Liang ; P. Chen ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang ; Z.S. Liu ; J.J. Zhu ; J. Yang ; W. Liu ; X.G. He ; X.J. Li ; X. Li ; S.T. Liu ; H. Yang ; L.Q. Zhang ; J.P. Liu ; Y.T. Zhang ; G.T. Du |
| 刊名 | chemical physics letters
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 651页码:76-79 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27870]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | F. Liang,P. Chen,D.G. Zhao,et al. Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC[J]. chemical physics letters,2016,651:76-79. |
| APA | F. Liang.,P. Chen.,D.G. Zhao.,D.S. Jiang.,Z.S. Liu.,...&G.T. Du.(2016).Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC.chemical physics letters,651,76-79. |
| MLA | F. Liang,et al."Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC".chemical physics letters 651(2016):76-79. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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