Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
文献类型：期刊论文
| 作者 | F. Liang ; P. Chen ; D. G. Zhao ; D. S. Jiang ; Z. J. Zhao ; Z. S. Liu ; J. J. Zhu ; J. Yang ; W. Liu ; X. G. He ; X. J. Li ; X. Li ; S. T. Liu ; H. Yang ; J. P. Liu ; L. Q. Zhang ; Y. T. Zhang ; G. T. Du |
| 刊名 | applied physics a
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 122期号:9 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27873]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | F. Liang,P. Chen,D. G. Zhao,et al. Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD[J]. applied physics a,2016,122(9). |
| APA | F. Liang.,P. Chen.,D. G. Zhao.,D. S. Jiang.,Z. J. Zhao.,...&G. T. Du.(2016).Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD.applied physics a,122(9). |
| MLA | F. Liang,et al."Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD".applied physics a 122.9(2016). |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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