The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content
文献类型：期刊论文
| 作者 | X. Li ; D. G. Zhao* ; D. S. Jiang ; P. Chen ; Z. S. Liu ; J. J. Zhu ; J. Yang ; W. Liu ; X. G. He ; X. J. Li ; F. Liang ; L. Q. Zhang ; J. P. Liu ; H. Yang |
| 刊名 | physica status solidi (a)
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 213期号:8页码:2223–2228 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27876]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | X. Li,D. G. Zhao*,D. S. Jiang,et al. The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content[J]. physica status solidi (a),2016,213(8):2223–2228. |
| APA | X. Li.,D. G. Zhao*.,D. S. Jiang.,P. Chen.,Z. S. Liu.,...&H. Yang.(2016).The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content.physica status solidi (a),213(8),2223–2228. |
| MLA | X. Li,et al."The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content".physica status solidi (a) 213.8(2016):2223–2228. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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