XPS study of impurities in Si-doped AlN film
文献类型：期刊论文
| 作者 | F. Liang ; P. Chen ; D. G. Zhao ; D. S. Jiang ; Z. J. Zhao ; Z. S. Liu ; J. J. Zhu ; J. Yang ; L. C. Le ; W. Liu ; X.G. He ; X. J. Li ; X Li ; S. T Liu ; H. Yang ; J. P. Liu ; L. Q. Zhang ; Y. T. Zhang ; G. T. Du |
| 刊名 | surface and interface analysis
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 48期号:12页码:1305–1309 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27879]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | F. Liang,P. Chen,D. G. Zhao,et al. XPS study of impurities in Si-doped AlN film[J]. surface and interface analysis,2016,48(12):1305–1309. |
| APA | F. Liang.,P. Chen.,D. G. Zhao.,D. S. Jiang.,Z. J. Zhao.,...&G. T. Du.(2016).XPS study of impurities in Si-doped AlN film.surface and interface analysis,48(12),1305–1309. |
| MLA | F. Liang,et al."XPS study of impurities in Si-doped AlN film".surface and interface analysis 48.12(2016):1305–1309. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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