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Single-section mode-locked 1.55-μm InAs/InP quantum dot lasers grown by MOVPE

文献类型:期刊论文

作者Feng Gao ; ShuaiLuo ; Hai-MingJi ; Song-TaoLiu ; DanLu ; ChenJi ; TaoYang
刊名Optics Communications
出版日期2016
卷号370页码:18-21
学科主题半导体材料
收录类别SCI
公开日期2017-03-10
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27679]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Feng Gao,ShuaiLuo,Hai-MingJi,et al. Single-section mode-locked 1.55-μm InAs/InP quantum dot lasers grown by MOVPE[J]. Optics Communications,2016,370:18-21.
APA Feng Gao.,ShuaiLuo.,Hai-MingJi.,Song-TaoLiu.,DanLu.,...&TaoYang.(2016).Single-section mode-locked 1.55-μm InAs/InP quantum dot lasers grown by MOVPE.Optics Communications,370,18-21.
MLA Feng Gao,et al."Single-section mode-locked 1.55-μm InAs/InP quantum dot lasers grown by MOVPE".Optics Communications 370(2016):18-21.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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