Ultrashort pulse and high power mode-locked laser with chirped InAs/InP quantum dot active layers
文献类型：期刊论文
| 作者 | Feng Gao ; Shuai Luo ; Haiming Ji ; Songtao Liu ; Feng Xu ; Zun-Ren Lv ; Dan Lu ; Chen Ji ; Tao Yang |
| 刊名 | ieee photonics technology letters
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 28期号:13页码:1481-1484 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27680]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Feng Gao,Shuai Luo,Haiming Ji,et al. Ultrashort pulse and high power mode-locked laser with chirped InAs/InP quantum dot active layers[J]. ieee photonics technology letters,2016,28(13):1481-1484. |
| APA | Feng Gao.,Shuai Luo.,Haiming Ji.,Songtao Liu.,Feng Xu.,...&Tao Yang.(2016).Ultrashort pulse and high power mode-locked laser with chirped InAs/InP quantum dot active layers.ieee photonics technology letters,28(13),1481-1484. |
| MLA | Feng Gao,et al."Ultrashort pulse and high power mode-locked laser with chirped InAs/InP quantum dot active layers".ieee photonics technology letters 28.13(2016):1481-1484. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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