InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xianghai Ji ; Xiaoguang Yang ; Wenna Du ; Huayong Pan ; Shuai Luo ; Haiming Ji ; H Q Xu ; Tao Yang |
| 刊名 | nanotechnology
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 27期号:27页码:275601 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27683]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xianghai Ji,Xiaoguang Yang,Wenna Du,et al. InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition[J]. nanotechnology,2016,27(27):275601. |
| APA | Xianghai Ji.,Xiaoguang Yang.,Wenna Du.,Huayong Pan.,Shuai Luo.,...&Tao Yang.(2016).InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition.nanotechnology,27(27),275601. |
| MLA | Xianghai Ji,et al."InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition".nanotechnology 27.27(2016):275601. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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