Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xianghai Ji ; Xiaoguang Yang ; Wenna Du ; Huayong Pan ; Tao Yang |
| 刊名 | nano letters
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 16期号:12页码:7580-7587 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27684]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xianghai Ji,Xiaoguang Yang,Wenna Du,et al. Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires[J]. nano letters,2016,16(12):7580-7587. |
| APA | Xianghai Ji,Xiaoguang Yang,Wenna Du,Huayong Pan,&Tao Yang.(2016).Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires.nano letters,16(12),7580-7587. |
| MLA | Xianghai Ji,et al."Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires".nano letters 16.12(2016):7580-7587. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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