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Exciton–phonon interaction in Al0.4Ga0.6N/Al0.53Ga0.47N multiple quantum wells

文献类型:期刊论文

作者Ya-Li Liu ; Peng Jin ; Gui-Peng Liu ; Wei-Ying Wang ; Zhi-Qiang Qi ; Chang-Qing Chen ; Zhan-Guo Wang
刊名Chinese Physics B
出版日期2016
卷号25期号:8页码:1
学科主题半导体材料
收录类别SCI
语种英语
公开日期2017-03-10
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27689]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Ya-Li Liu,Peng Jin,Gui-Peng Liu,et al. Exciton–phonon interaction in Al0.4Ga0.6N/Al0.53Ga0.47N multiple quantum wells[J]. Chinese Physics B,2016,25(8):1.
APA Ya-Li Liu.,Peng Jin.,Gui-Peng Liu.,Wei-Ying Wang.,Zhi-Qiang Qi.,...&Zhan-Guo Wang.(2016).Exciton–phonon interaction in Al0.4Ga0.6N/Al0.53Ga0.47N multiple quantum wells.Chinese Physics B,25(8),1.
MLA Ya-Li Liu,et al."Exciton–phonon interaction in Al0.4Ga0.6N/Al0.53Ga0.47N multiple quantum wells".Chinese Physics B 25.8(2016):1.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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