Anisotropic structural and optical properties of semi-polar (11-22) GaN grown on m-plane sapphire using double AlN buffer layers
文献类型：期刊论文
| 作者 | Guijuan Zhao ; Lianshan Wang ; Shaoyan Yang ; Huijie Li ; Hongyuan Wei ; Dongyue Han ; Zhanguo Wang |
| 刊名 | scientific reports
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 6页码:20787 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27765]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Guijuan Zhao,Lianshan Wang,Shaoyan Yang,et al. Anisotropic structural and optical properties of semi-polar (11-22) GaN grown on m-plane sapphire using double AlN buffer layers[J]. scientific reports,2016,6:20787. |
| APA | Guijuan Zhao.,Lianshan Wang.,Shaoyan Yang.,Huijie Li.,Hongyuan Wei.,...&Zhanguo Wang.(2016).Anisotropic structural and optical properties of semi-polar (11-22) GaN grown on m-plane sapphire using double AlN buffer layers.scientific reports,6,20787. |
| MLA | Guijuan Zhao,et al."Anisotropic structural and optical properties of semi-polar (11-22) GaN grown on m-plane sapphire using double AlN buffer layers".scientific reports 6(2016):20787. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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