Structural anisotropy results in strain-tunable electronic and optical properties in monolayer GeX and SnX (X = S, Se, Te)
文献类型：期刊论文
| 作者 | Le Huang ; Fugen Wu ; Jingbo Li |
| 刊名 | the journal of chemical physics
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 144期号:11页码:114708 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-10 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27779]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Le Huang,Fugen Wu,Jingbo Li. Structural anisotropy results in strain-tunable electronic and optical properties in monolayer GeX and SnX (X = S, Se, Te)[J]. the journal of chemical physics,2016,144(11):114708. |
| APA | Le Huang,Fugen Wu,&Jingbo Li.(2016).Structural anisotropy results in strain-tunable electronic and optical properties in monolayer GeX and SnX (X = S, Se, Te).the journal of chemical physics,144(11),114708. |
| MLA | Le Huang,et al."Structural anisotropy results in strain-tunable electronic and optical properties in monolayer GeX and SnX (X = S, Se, Te)".the journal of chemical physics 144.11(2016):114708. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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