Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2p–n heterojunctions
文献类型:期刊论文
作者 | Xiaoting Wang ; Le Huang ; Yuting Peng ; Nengjie Huo ; Kedi Wu ; Congxin Xia ; Zhongming Wei ; Sefaattin Tongay ; Jingbo Li |
刊名 | Nano Research
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出版日期 | 2016 |
卷号 | 9期号:2页码:507-516 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | SCI |
公开日期 | 2017-03-10 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27785] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiaoting Wang,Le Huang,Yuting Peng,et al. Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2p–n heterojunctions[J]. Nano Research,2016,9(2):507-516. |
APA | Xiaoting Wang.,Le Huang.,Yuting Peng.,Nengjie Huo.,Kedi Wu.,...&Jingbo Li.(2016).Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2p–n heterojunctions.Nano Research,9(2),507-516. |
MLA | Xiaoting Wang,et al."Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2p–n heterojunctions".Nano Research 9.2(2016):507-516. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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