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Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2p–n heterojunctions

文献类型:期刊论文

作者Xiaoting Wang ; Le Huang ; Yuting Peng ; Nengjie Huo ; Kedi Wu ; Congxin Xia ; Zhongming Wei ; Sefaattin Tongay ; Jingbo Li
刊名Nano Research
出版日期2016
卷号9期号:2页码:507-516
学科主题半导体材料
收录类别SCI
公开日期2017-03-10
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27785]  
专题半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
Xiaoting Wang,Le Huang,Yuting Peng,et al. Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2p–n heterojunctions[J]. Nano Research,2016,9(2):507-516.
APA Xiaoting Wang.,Le Huang.,Yuting Peng.,Nengjie Huo.,Kedi Wu.,...&Jingbo Li.(2016).Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2p–n heterojunctions.Nano Research,9(2),507-516.
MLA Xiaoting Wang,et al."Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2p–n heterojunctions".Nano Research 9.2(2016):507-516.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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