Carrier leakage effect on efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang Huang ; Zhiqiang Liu ; Xiaoyan Yi ; Yao Guo ; Shaoteng Wu ; Guodong Yuan ; Junxi Wang ; Guohong Wang ; Jinmin Li |
| 刊名 | modern physics letters b
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 20页码:1650221 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28083]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang Huang,Zhiqiang Liu,Xiaoyan Yi,et al. Carrier leakage effect on efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes[J]. modern physics letters b,2016,20:1650221. |
| APA | Yang Huang.,Zhiqiang Liu.,Xiaoyan Yi.,Yao Guo.,Shaoteng Wu.,...&Jinmin Li.(2016).Carrier leakage effect on efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes.modern physics letters b,20,1650221. |
| MLA | Yang Huang,et al."Carrier leakage effect on efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes".modern physics letters b 20(2016):1650221. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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