Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on The Thermal Quenching of UVL Band
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang Huang ; Zhiqiang Liu ; Xiaoyan Yi ; Yao Guo ; Guodong Yuan ; JunXi Wang ; Guohong Wang ; Jinmin Li |
| 刊名 | ieee photonics journal
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 8期号:5页码:8200107 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28087]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang Huang,Zhiqiang Liu,Xiaoyan Yi,et al. Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on The Thermal Quenching of UVL Band[J]. ieee photonics journal,2016,8(5):8200107. |
| APA | Yang Huang.,Zhiqiang Liu.,Xiaoyan Yi.,Yao Guo.,Guodong Yuan.,...&Jinmin Li.(2016).Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on The Thermal Quenching of UVL Band.ieee photonics journal,8(5),8200107. |
| MLA | Yang Huang,et al."Investigation of Isoelectronic Doping in p-GaN Based on The Thermal Quenching of UVL Band".ieee photonics journal 8.5(2016):8200107. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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