Overshoot effects of electron on efficiency droop in InGaN/GaN MQW light-emitting diodes
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang Huang ; Zhiqiang Liu ; Xiaoyan Yi ; Yao Guo ; Shaoteng Wu ; Guodong Yuan ; JunXi Wang ; Guohong Wang ; Jinmin Li |
| 刊名 | aip advances
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 6期号:4页码:045219 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28088]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang Huang,Zhiqiang Liu,Xiaoyan Yi,et al. Overshoot effects of electron on efficiency droop in InGaN/GaN MQW light-emitting diodes[J]. aip advances,2016,6(4):045219. |
| APA | Yang Huang.,Zhiqiang Liu.,Xiaoyan Yi.,Yao Guo.,Shaoteng Wu.,...&Jinmin Li.(2016).Overshoot effects of electron on efficiency droop in InGaN/GaN MQW light-emitting diodes.aip advances,6(4),045219. |
| MLA | Yang Huang,et al."Overshoot effects of electron on efficiency droop in InGaN/GaN MQW light-emitting diodes".aip advances 6.4(2016):045219. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。