GaN nanowire arrays by a patterned metal-assisted chemical etching
文献类型：期刊论文
| 作者 | K.C. Wang ; G.D.Yuan n ; R.W.Wu ; H.X.Lu ; Z.Q.Liu ; T.B.Wei ; J.X.Wang ; J.M.Li ; W.J.Zhang |
| 刊名 | journal of crystal growth
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 440页码:96-101 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2017-03-16 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28107]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | K.C. Wang,G.D.Yuan n,R.W.Wu,et al. GaN nanowire arrays by a patterned metal-assisted chemical etching[J]. journal of crystal growth,2016,440:96-101. |
| APA | K.C. Wang.,G.D.Yuan n.,R.W.Wu.,H.X.Lu.,Z.Q.Liu.,...&W.J.Zhang.(2016).GaN nanowire arrays by a patterned metal-assisted chemical etching.journal of crystal growth,440,96-101. |
| MLA | K.C. Wang,et al."GaN nanowire arrays by a patterned metal-assisted chemical etching".journal of crystal growth 440(2016):96-101. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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