Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors
文献类型:期刊论文
作者 | Yang, Bingchao; Wan, Bensong; Zhou, Qionghua; Wang, Yue; Hu, Wentao; Lv, Weiming; Chen, Qian; Zeng, Zhongming(曾中明); Wen, Fusheng; Xiang, Jianyong |
刊名 | Advanced Materials
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出版日期 | 2016 |
通讯作者 | Liu, ZY ; Zeng, ZM(曾中明) ; Wang, JL ; Wang, WH |
收录类别 | SCI ; EI |
语种 | 英语 |
WOS记录号 | WOS:000391174600019 |
源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/4606] ![]() |
专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang, Bingchao,Wan, Bensong,Zhou, Qionghua,et al. Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors[J]. Advanced Materials,2016. |
APA | Yang, Bingchao.,Wan, Bensong.,Zhou, Qionghua.,Wang, Yue.,Hu, Wentao.,...&Liu, Zhongyuan.(2016).Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors.Advanced Materials. |
MLA | Yang, Bingchao,et al."Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors".Advanced Materials (2016). |
入库方式: OAI收割
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