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Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors

文献类型:期刊论文

作者Yang, Bingchao; Wan, Bensong; Zhou, Qionghua; Wang, Yue; Hu, Wentao; Lv, Weiming; Chen, Qian; Zeng, Zhongming(曾中明); Wen, Fusheng; Xiang, Jianyong
刊名Advanced Materials
出版日期2016
通讯作者Liu, ZY ; Zeng, ZM(曾中明) ; Wang, JL ; Wang, WH
收录类别SCI ; EI
语种英语
WOS记录号WOS:000391174600019
源URL[http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/4606]  
专题苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米加工公共平台
推荐引用方式
GB/T 7714
Yang, Bingchao,Wan, Bensong,Zhou, Qionghua,et al. Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors[J]. Advanced Materials,2016.
APA Yang, Bingchao.,Wan, Bensong.,Zhou, Qionghua.,Wang, Yue.,Hu, Wentao.,...&Liu, Zhongyuan.(2016).Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors.Advanced Materials.
MLA Yang, Bingchao,et al."Te-Doped Black Phosphorus Field-Effect Transistors".Advanced Materials (2016).

入库方式: OAI收割

来源:苏州纳米技术与纳米仿生研究所

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