GaAs隧道结及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 甘兴源; 郑新和; 吴渊渊; 王海啸; 王乃明; 陆书龙; 杨辉; 有持祐之; 内田史朗; 池田昌夫 |
| 发表日期 | 2016-04-27 |
| 专利号 | CN103367480B |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 申请日期 | 2013-07-19 |
| 专利申请号 | 201310302507.8 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/4938]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_SONY团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 甘兴源,郑新和,吴渊渊,等. GaAs隧道结及其制备方法. CN103367480B. 2016-04-27. |
入库方式： OAI收割
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