GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs 四结级联太阳电池及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 赵勇明; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 于淑珍; 赵春雨; 杨辉 |
| 发表日期 | 2017-01-25 |
| 专利号 | CN103346191B |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 申请日期 | 2013-06-06 |
| 专利申请号 | 201310223613.7 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/4940]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米器件及相关材料研究部_董建荣团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵勇明,董建荣,李奎龙,等. GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs 四结级联太阳电池及其制备方法. CN103346191B. 2017-01-25. |
入库方式： OAI收割
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