包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张宇翔; 朱煜; 黄寓洋; 宋贺伦; 张耀辉 |
| 发表日期 | 2016-09-07 |
| 专利号 | CN103035752B |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 申请日期 | 2013-01-25 |
| 专利申请号 | 201310029855.2 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/4947]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_系统集成与IC设计部_张耀辉团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张宇翔,朱煜,黄寓洋,等. 包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法. CN103035752B. 2016-09-07. |
入库方式： OAI收割
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