单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陆埮; 蒋家禹; 龚大为; 孙恒慧 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 2页码:8 |
| 关键词 | 量子阱结构 费密能 单频 泊松方程 子阶 载流子浓度 激活能 阱宽 价带 理论模拟 |
| 英文摘要 | 提出了用单频导纳谱法测量储硅单量子阶的能带偏移，与常规的多频导纳谱相比，它只需测一个频率的导纳谱就能得到更精确的实验结果。用该方法对Ｓｉ／Ｇｅ＿（０．３３）Ｓｉ＿（０．６７）／Ｓｉ单量子阱进行测试，得到激活能为Ｅ＝０．２０ｅＶ。为了计算出能带偏移值，必须能准确确定具有单量子阱结构样品中的费密能级位置，由于在单量子阱结构中费密能级的位置与阱材料、垒材料的掺杂浓度、阱的高度（即能带偏移）及温度等几个因素均有关。为此，本文通过解泊松方程，计算出结合本文样品参数的具体单量子阶能带图及费密能级位置。计算结果表明，费密能级位于阱材料的禁带之内，Ｅ＿Ｆ－Ｅ＿（Ｖ１）＝０．０４ｅＶ．由于单量子阱两边的载流子向... |
| 源URL | [http://libir.pmo.ac.cn/handle/332002/17107]  |
| 专题 | 中国科学院紫金山天文台 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆埮,蒋家禹,龚大为,等. 单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移[J]. 物理学报,1994(2):8. |
| APA | 陆埮,蒋家禹,龚大为,&孙恒慧.(1994).单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移.物理学报(2),8. |
| MLA | 陆埮,et al."单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移".物理学报 .2(1994):8. |
入库方式： OAI收割
来源：紫金山天文台
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