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稀N稀Bi合金的电子结构与二维拓扑绝缘体输运

文献类型:学位论文

作者宋志刚
学位类别博士
答辩日期2017-05-09
授予单位中国科学院研究生院
授予地点北京
导师李树深 ; 张艳阳 ; 范卫军
关键词半导体 稀N稀Bi 量子点 光学增益 拓扑绝缘体 无序 陈数 边缘态 拓扑相变 量子阱 Lowding微扰
学位专业凝聚态物理
学科主题半导体物理
公开日期2017-05-31
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28150]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
宋志刚. 稀N稀Bi合金的电子结构与二维拓扑绝缘体输运[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2017.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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