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半导体研究所
中国科学院半导体研究所
半导体超晶格国家重点实验室
稀N稀Bi合金的电子结构与二维拓扑绝缘体输运
文献类型:学位论文
作者
宋志刚
学位类别
博士
答辩日期
2017-05-09
授予单位
中国科学院研究生院
授予地点
北京
导师
李树深 ; 张艳阳 ; 范卫军
关键词
半导体
稀N稀Bi
量子点
光学增益
拓扑绝缘体
无序
陈数
边缘态
拓扑相变
量子阱
Lowding微扰
学位专业
凝聚态物理
学科主题
半导体物理
公开日期
2017-05-31
源URL
[
http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28150
]
专题
半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
宋志刚. 稀N稀Bi合金的电子结构与二维拓扑绝缘体输运[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2017.
入库方式:
OAI收割
来源:
半导体研究所
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