Si基GeSn合金的外延生长及光电器件的制备
文献类型：学位论文
| 作者 | 丛慧 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2017-05-31 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 王启明 院士 |
| 关键词 | 硅基光电子学 GeSn合金 短波红外探测器 石墨烯 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 ; 光电子学 |
| 公开日期 | 2017-06-05 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28242]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丛慧. Si基GeSn合金的外延生长及光电器件的制备[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2017. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。