Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation–dissolution–regrowth method
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang GQ(杨冠卿) ; Zhang SZ(张世著) ; Xu B(徐波) ; Chen YH(陈涌海) ; Wang ZG(王占国) |
| 刊名 | 中国物理B
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| 出版日期 | 2017-04-20 |
| 卷号 | 26期号:6页码:068102 |
| 关键词 | 量子点 光致荧光 反常温度效应 激活能 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体材料 |
| 公开日期 | 2017-05-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28121]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang GQ,Zhang SZ,Xu B,et al. Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation–dissolution–regrowth method[J]. 中国物理B,2017,26(6):068102. |
| APA | 杨冠卿,张世著,徐波,陈涌海,&王占国.(2017).Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation–dissolution–regrowth method.中国物理B,26(6),068102. |
| MLA | 杨冠卿,et al."Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation–dissolution–regrowth method".中国物理B 26.6(2017):068102. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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