Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 孔祥挺 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2017-05-26 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 潘教青 |
| 关键词 | InGaAs沟道 高迁移率 MOSFET Ge/Si衬底 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体器件 ; 微电子学 |
| 公开日期 | 2017-06-05 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28212]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孔祥挺. Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2017. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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