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AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长研究

文献类型:学位论文

作者陈翔
学位类别博士
答辩日期2017-05-31
授予单位中国科学院研究生院
授予地点北京
导师李晋闽
关键词AlN MOCVD 纳米图形化侧向外延 AlGaN基深紫外激光器 光泵浦激射 纳米压印光刻技术 AlGaN纳米柱
学位专业微电子学与固体电子学
学科主题半导体材料 ; 半导体器件 ; 光电子学
公开日期2017-06-05
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28200]  
专题半导体研究所_中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
陈翔. AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2017.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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