基于二维缓冲层的非晶衬底Al(Ga)N薄膜生长研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李杨 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2017-05-31 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 李晋闽 |
| 关键词 | Ⅲ族氮化物 氮化铝 氮化镓 二维材料 石墨烯 二维过渡金属硫化物 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2017-06-05 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28206]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李杨. 基于二维缓冲层的非晶衬底Al(Ga)N薄膜生长研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2017. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。