高Al组分AlGaN材料及紫外LED研究
文献类型:学位论文
作者 | 张硕 |
学位类别 | 硕士 |
答辩日期 | 2017-05-26 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 王军喜 |
关键词 | AlGaN 紫外LED 晶体质量 溅射AlN 侧向外延 金属气相化合物沉积 |
学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
学科主题 | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 微电子学 |
公开日期 | 2017-06-05 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28230] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张硕. 高Al组分AlGaN材料及紫外LED研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2017. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。