基于GaN材料的柔性发光薄膜器件制备工艺研究
文献类型:学位论文
作者 | 綦成林 |
学位类别 | 硕士 |
答辩日期 | 2017-05-31 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 伊晓燕 |
学位专业 | 电子与通信工程 |
学科主题 | 半导体器件 |
公开日期 | 2017-06-05 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28232] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 綦成林. 基于GaN材料的柔性发光薄膜器件制备工艺研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2017. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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