MOCVD反应器中的组分输运与入口条件对GaN生长均匀性影响研究
文献类型：会议论文
| 作者 | 张之,吕振亚,尧青霞,方海生 |
| 出版日期 | 2016 |
| 会议名称 | 2016年传热传质学年会 |
| 会议日期 | 2016 |
| 通讯作者 | hafang@gmail.com |
| 源URL | [http://ir.etp.ac.cn/handle/311046/112729]  |
| 专题 | 工程热物理研究所_中国工程热物理学会论文_会议论文 |
| 作者单位 | 华中科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张之,吕振亚,尧青霞,方海生. MOCVD反应器中的组分输运与入口条件对GaN生长均匀性影响研究[C]. 见:2016年传热传质学年会. 2016. |
入库方式： OAI收割
来源：工程热物理研究所
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