用VTE方法在蓝宝石衬底上生长γ-LiAlO2薄膜
文献类型：期刊论文
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| 作者 | 李抒智 ; 徐军 ; 杨卫桥 ; 邹军 ; 周圣明 |
| 刊名 | 无机材料学报
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 20期号:1页码:169 |
| 关键词 | GaN GaN 气相传输平衡技术（VTE） vapor transport equilibration (VTE) γ-LiAlO2 gamma-LiAlO2 蓝宝石 sapphire |
| ISSN号 | 1000-324X |
| 其他题名 | gamma-LiAlO2 layer on (0001) sapphire fabricated by vapor transport equilibration |
| 中文摘要 | 利用气相传输平衡技术(VTE)和后退火处理工艺在(0001)蓝宝石衬底上获得了高度[100]取向的γ-LiAlO2薄膜．X射线衍射表明是由单相的γ-LiAlO2所组成,此薄膜经850～900℃／120h空气中退火处理后显示出高度的[100]取向,这一实验结果意味着有望通过VTE方法制备用于GaN基器件外延生长的γ-LiAlO2(100)-Al2O3(0001)复合衬底.; Using vapor transport equilibration (VTE) technique and post-annealing processing, we succeeded in the fabrication of gamma/-LiAlO2 layer with a highly-preferred orientation of [100] on (0001) sapphire crystal. X-ray diffraction indicates that the as-fabricated layer by VTE is a polycrystalline film shown to be a single-phase. When the gamma-LiAlO2 layers are annealed at 850similar to900degreesC for about 120 hours in air, the layers become highly textured with [100] orientation. These results reveal the possibility of fabricating gamma-LiAlO2 (100)// sapphires(0001) composite substrate for GaN-based epitaxial film by VTE. |
| 学科主题 | 光学材料;晶体 |
| 分类号 | O484 |
| 收录类别 | ei |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-24 ; 2010-10-12 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/5401]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李抒智,徐军,杨卫桥,等. 用VTE方法在蓝宝石衬底上生长γ-LiAlO2薄膜, gamma-LiAlO2 layer on (0001) sapphire fabricated by vapor transport equilibration[J]. 无机材料学报,2005,20(1):169, 174. |
| APA | 李抒智,徐军,杨卫桥,邹军,&周圣明.(2005).用VTE方法在蓝宝石衬底上生长γ-LiAlO2薄膜.无机材料学报,20(1),169. |
| MLA | 李抒智,et al."用VTE方法在蓝宝石衬底上生长γ-LiAlO2薄膜".无机材料学报 20.1(2005):169. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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