C面蓝宝石上单一取向γ-LiAlO2层的生长研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李抒智 ; 杨卫桥 ; 周圣明 ; 徐军 |
| 刊名 | 中国科学E
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| 出版日期 | 2005 |
| 卷号 | 35期号:3页码:249 |
| 关键词 | 蓝宝石 γ-LiAlO2 生长工艺 气相传输平衡技术 半导体材料 氮化物 晶体 |
| ISSN号 | 1006-9275 |
| 中文摘要 | 用气相传输平衡技术(VTE)在(0001)蓝宝石衬底上制备了单相的γ-LiAlO2薄层，X射线衍射表明，在适当的温度(1050～1100℃)条件下，此γ-LiAlO2薄层为高度[100]取向，并通过扫描电子显微镜和透射光谱，分析了影响薄膜质量的因素，这一实验结果意味着有望通过VTE技术制备用于GaN基器件外延生长γ-LiAlO2(100)／／Al2O3(0001)复合衬底。 |
| 学科主题 | 光学材料;晶体 |
| 分类号 | TN3;O782 |
| 收录类别 | 0 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-24 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/5409]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李抒智,杨卫桥,周圣明,等. C面蓝宝石上单一取向γ-LiAlO2层的生长研究[J]. 中国科学E,2005,35(3):249, 253. |
| APA | 李抒智,杨卫桥,周圣明,&徐军.(2005).C面蓝宝石上单一取向γ-LiAlO2层的生长研究.中国科学E,35(3),249. |
| MLA | 李抒智,et al."C面蓝宝石上单一取向γ-LiAlO2层的生长研究".中国科学E 35.3(2005):249. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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