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硅酸钇晶体的生长、腐蚀形貌和光谱性能研究

文献类型:期刊论文

作者庞辉勇 ; 赵广军 ; 介明印 ; 朱江 ; 何晓明 ; 徐军
刊名人工晶体学报
出版日期2005
卷号34期号:3页码:421
关键词YSO晶体 辐照 光谱 位错蚀坑 小角晶界
ISSN号1000-985X
其他题名Study on the growth, etch morphology and spectra property of YSO crystals
中文摘要本文采用中频感应提拉法成功生长了未掺杂的Y2SiO5(YSO)晶体,经过定向、切割、抛光后得到样品。经过腐蚀后,利用大视场显微镜和扫描电镜在样品表面上观察到了菱形和四边形的位错蚀坑、小角晶界和包裹物等缺陷;测试了经过氢气、空气退火前后,辐照前后YSO晶体的透过谱,结果表明:YSO晶体的吸收边大约在202nm,氢气退火后在200~300nm波段透过率增加,空气退火后透过率显著降低;辐照后,氢气退火的样品在200~500nm波段透过率显著降低。
学科主题光学材料;晶体
分类号O782
收录类别ei
语种中文
公开日期2009-09-24
源URL[http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/5453]  
专题上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
庞辉勇,赵广军,介明印,等. 硅酸钇晶体的生长、腐蚀形貌和光谱性能研究[J]. 人工晶体学报,2005,34(3):421, 424.
APA 庞辉勇,赵广军,介明印,朱江,何晓明,&徐军.(2005).硅酸钇晶体的生长、腐蚀形貌和光谱性能研究.人工晶体学报,34(3),421.
MLA 庞辉勇,et al."硅酸钇晶体的生长、腐蚀形貌和光谱性能研究".人工晶体学报 34.3(2005):421.

入库方式: OAI收割

来源:上海光学精密机械研究所

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