β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张俊刚 ; 夏长泰 ; 吴锋 ; 裴广庆 ; 徐军 ; 邓群 ; 徐悟生 ; 史宏生 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 37期号:3页码:358 |
| 关键词 | 浮区法 宽禁带半导体 β-Ga2O3单晶 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 其他题名 | Floating zone technique growth of β-Ga_2O_3 single crystals and their optical properties |
| 中文摘要 | 用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶，对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析。解释了禁带部分展宽的原因。并研究了Sn^4＋和Ti^4＋的掺杂对其紫外吸收边影响。β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰：紫外光（395nm）、蓝光（471nm）、绿光（559nm），还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射。 |
| 学科主题 | 光学材料;晶体 |
| 分类号 | O782 |
| 收录类别 | ei |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-09-24 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/5617]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张俊刚,夏长泰,吴锋,等. β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质[J]. 功能材料,2006,37(3):358, 360363. |
| APA | 张俊刚.,夏长泰.,吴锋.,裴广庆.,徐军.,...&史宏生.(2006).β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质.功能材料,37(3),358. |
| MLA | 张俊刚,et al."β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质".功能材料 37.3(2006):358. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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